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CMP抛光前后，晶圆表面粗糙度白光干涉测量方案

1 引言化学机械抛光（CMP）是半导体晶圆制程中核心平坦化工艺，抛光前后晶圆表面微观粗糙度直接影响后续光刻、镀膜等工序良率，是管控制程精度的关键指标。传统接触式测...

09

2026

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05

Smr/Smr1/Smr2 支承长度率解读，白光干涉仪粗糙度...

引言在精密机械配合、液压密封结构、齿轮传动及耐磨零部件加工领域，工件表面不仅需要控制基础高低起伏粗糙度，更需精准把控微观表面实体接触承载能力。传统高度类粗糙度参数...

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2026

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05

白光干涉仪，晶圆级封装/Bump键合3D轮廓测量

摘要随着晶圆级扇出封装、TSV互连及精密Bump键合工艺高速开展，芯片封装朝着微型化、高密度、高精度集成方向快速升级。晶圆级Bump键合作为芯片互连的核心工序，凸...

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钙钛矿电池死区宽度测量，白光干涉助力GFF提升

1 钙钛矿电池死区宽度成因及工艺影响钙钛矿电池组件规模化生产中，激光刻蚀形成的边缘无效区域即为电池死区，主要位于P1、P2、P3刻蚀沟槽边缘及电池片串间衔接位置。...

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